隨著電路設(shè)計(jì)高速高密的發(fā)展趨勢(shì)，QFN封裝已經(jīng)有0.5mm pitch甚至更小pitch的應(yīng)用。由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區(qū)域的串?dāng)_問(wèn)題也隨著傳輸速率的升高而越來(lái)越突出。對(duì)于8Gbps及以上的高速應(yīng)用更應(yīng)該注意避免此類問(wèn)題，為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對(duì)PCB設(shè)計(jì)中由小間距QFN封裝引入串?dāng)_的抑制方法進(jìn)行了仿真分析，為此類設(shè)計(jì)提供參考。

一、問(wèn)題分析

在PCB設(shè)計(jì)中，QFN封裝的器件通常使用微帶線從TOP或者BOTTOM層扇出。對(duì)于小間距的QFN封裝，需要在扇出區(qū)域注意微帶線之間的距離以及并行走線的長(zhǎng)度。圖一是一個(gè)0.5 pitch QFN封裝的尺寸標(biāo)注圖。

圖二是一個(gè)使用0.5mm pitch QFN封裝的典型的1.6mm板厚的6層板PCB設(shè)計(jì)：

差分線走線線寬/線距為：8/10，走線距離參考層7mil，板材為FR4.

從上述設(shè)計(jì)我們可以看出，在扇出區(qū)域差分對(duì)間間距和差分對(duì)內(nèi)的線間距相當(dāng)，會(huì)使差分對(duì)間的串?dāng)_增大。

圖四是上述設(shè)計(jì)的差分模式的近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_的仿真結(jié)果，圖中D1~D6是差分端口。

從仿真結(jié)果可以看出，即使在并行走線較短的情況下，差分端口D1對(duì)D2的近端串?dāng)_在5GHz超過(guò)了-40dB，在10GHz達(dá)到了-32dB，遠(yuǎn)端串?dāng)_在15GHz達(dá)到了-40dB.對(duì)于10Gbps及以上的應(yīng)用而言，需要對(duì)此處

的串?dāng)_進(jìn)行優(yōu)化，將串?dāng)_控制到-40dB以下。

二、優(yōu)化方案分析

對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，比較直接的優(yōu)化方法是采用緊耦合的差分走線，增加差分對(duì)間的走線間距，并減小差分對(duì)之間的并行走線距離。

圖五是針對(duì)上述設(shè)計(jì)使用緊耦合差分線進(jìn)行串?dāng)_優(yōu)化的一個(gè)實(shí)例：

圖六是上述設(shè)計(jì)的差分模式的近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_的仿真結(jié)果：

從優(yōu)化后的仿真結(jié)果可以看出，使用緊耦合并增加差分對(duì)之間的間距可以使差分對(duì)間的近端串?dāng)_在0~20G的頻率范圍內(nèi)減小4.8~6.95dB.遠(yuǎn)端串?dāng)_在5G~20G的頻率范圍內(nèi)減小約1.7~5.9dB.

除了在布線時(shí)拉開(kāi)差分對(duì)之間的間距并減小并行距離之外，我們還可以調(diào)整差分線走線層和參考平面的距離來(lái)抑制串?dāng)_。距離參考層越近，越有利于抑制串?dāng)_。在采用緊耦合走線方式的基礎(chǔ)上，我們將TOP層與其參考層之間的距離由7mil調(diào)整到4mil.

根據(jù)上述優(yōu)化進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果如下圖：

值得注意的是，當(dāng)我們調(diào)整了走線與參考平面的距離之后，差分線的阻抗也隨之發(fā)生變化，需要調(diào)整差分走線滿足目標(biāo)阻抗的要求。芯片的SMT焊盤(pán)距離參考平面距離變小之后阻抗也會(huì)變低，需要在SMT焊盤(pán)的參考平面上進(jìn)行挖空處理來(lái)優(yōu)化SMT焊盤(pán)的阻抗。具體挖空的尺寸需要根據(jù)疊層情況進(jìn)行仿真來(lái)確定。

從仿真結(jié)果可以看出，調(diào)整走線與參考平面的距離后，使用緊耦合并增加差分對(duì)之間的間距可以使差分對(duì)間的近端串?dāng)_在0~20G的頻率范圍內(nèi)減小8.8~12.3dB.遠(yuǎn)端串?dāng)_在0~20G范圍內(nèi)減小了2.8~9.3dB.

三、結(jié)論